6月24日，2023年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)在北京人民大會(huì)堂盛大舉行。大族激光旗下全資子公司大族半導(dǎo)體攜手廣東工業(yè)大學(xué)等合作伙伴共同研發(fā)的“面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備”榮獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)。
大族半導(dǎo)體與廣東工業(yè)大學(xué)陳新教授團(tuán)隊(duì)等長(zhǎng)期深入產(chǎn)學(xué)研合作，突破了半導(dǎo)體激光精細(xì)加工技術(shù)與裝備多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，形成了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。成果獲得國(guó)內(nèi)國(guó)際一流龍頭企業(yè)的嚴(yán)格認(rèn)證與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。項(xiàng)目有力推動(dòng)了高性能芯片高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備的自主可控，為我國(guó)電子制造產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展做出了突出貢獻(xiàn)。
此前，“面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備”項(xiàng)目暨“電子器件高密度封裝的微細(xì)陣列制造關(guān)鍵技術(shù)與裝備”項(xiàng)目入選2023年度廣東省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)公示名單。
示例機(jī)型:DSI-S-TC9212
SDBG工藝主要應(yīng)用于存儲(chǔ)器封裝過(guò)程中的晶圓切割工序。隨著智能手機(jī)以及平板電腦的薄型化、大容量化的發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)閃存(Flash Memory)、內(nèi)存控制器(Memory Controller)薄型化的要求也不斷提升，存儲(chǔ)器晶圓通常為12寸，晶粒最終厚度最薄可達(dá)30μm，采用傳統(tǒng)的先研磨減薄后切割的工藝方式容易造成傳輸過(guò)程中晶圓碎裂或切割完成后出現(xiàn)崩邊、裂DIE等不良，無(wú)法實(shí)現(xiàn)可靠量產(chǎn)，采用SDBG工藝可以有效解決上述問(wèn)題。
● 數(shù)位光學(xué)空間光同步調(diào)制技術(shù)
● 優(yōu)秀的切割品質(zhì)，高質(zhì)量低Splash（散射/激光熱影響）
● 高效率高產(chǎn)出，Multi Beam(多光點(diǎn))切割
● AI深度學(xué)習(xí)，搭載高精度機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)
● 高速度高精度運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)技術(shù)
大族半導(dǎo)體憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)學(xué)研的深度合作以及研發(fā)成果的廣泛應(yīng)用，榮膺2023年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)，這一殊榮不僅彰顯了我司技術(shù)領(lǐng)域的高度成就，更是對(duì)我司產(chǎn)學(xué)研一體化模式的充分認(rèn)可。展望未來(lái)，大族半導(dǎo)體將堅(jiān)守科技創(chuàng)新，持續(xù)推動(dòng)電子制造領(lǐng)域的技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)，為整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入源源不斷的強(qiáng)勁動(dòng)力。
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